科研人员将存储芯片容量提升1000倍 誉为“终极储存”（股）

　　据报道，韩国技术信息部宣布该国研究团队利用可以代替现有DRAM或NAND闪存的新一代候选“铁电体存储器（FRAM）”，将存储芯片的存储容量提高 了1000 倍；同时通过对铁电体物质氧化铪施加3-4V的电压，致使原子之间的力量断裂，每个原子都可以自由移动，从而理论上可将线幅缩小至0.5纳米。

　　现有半导体的最小线幅为5纳米，此次发现在理论上可以进一步减少到十分之一以下。从而“在相同的空间里储存1000 倍以上的信息”。该项目负责人李准熙教授表示：“在原子中储存信息的技术，在不分裂原子的情况下成为半导体产业终极储存技术的几率很高。”值得注意的是，FRAM是现有的半导体材料，被认为商用化的可能性非常高。

　　相关上市公司：

　　上海贝岭(行情600171,诊股)：存储芯片已形成系列产品，公司“铁电体存储器芯片”项目被列为国家技术创新重点新产品；

　　东方锆业(行情002167,诊股)：旗下有氧化铪产品。