联创光电：硅衬底项目有望获2015年度国家科学技术奖一等奖

【驱动主题】2015年度国家科学技术奖颁奖典礼于8日举行

江西省发文要求优先支持硅基LED技术；相关技术有望在本月8日颁布的国家科技奖上获奖。

消息称2015年度国家科学技术奖拟于2016年1月8日在人民大会堂举办颁奖典礼。据分析，备受瞩目的技术发明一等奖有望花落“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目（下称“硅衬底项目”）。硅衬底项目的主要参与人员孙钱昨日对记者表示，从国家战略层面讲，硅衬底技术是我国拥有自主知识产权的技术路线，可以构建中国完全自主的LED产业。

与硅衬底技术并列LED三大技术路线的蓝宝石衬底技术曾获2014年诺贝尔物理学奖。有产业经济学家表示，在成本持续下降的背景下，硅衬底技术如若能获得资本大力追捧，LED产业格局有望被重塑。

联创光电(600363)A股唯一披露真正涉及硅衬底技术的公司

据公司此前年报披露，早在2007年该公司开展的“基于硅衬底的光电子器件封装及应用”项目即获重大突破，2008年公司与南昌大学合作的“半导体照明高亮度功率白光二极管芯片开发及产业化”项目验收。

联创光电还在2014年年报中表示，公司积极参与江西省战略性新兴产业——半导体照明封装与应用协同创新平台建设，成为首批江西省5家协同创新体之一 ，申请到政府产业发展科研政策扶持约2000万元配套资金，为推动公司LED产业的持续升级和跨越发展创造了条件。

除此之外，A股真正涉及硅衬底技术的公司目前尚未发现有公开披露。