中芯国际留人送CEO一套房为什么要留人,中芯国际为什么留不住人,中芯国际CEO年薪
摘要: 中芯国际从去年上市之后就一直备受大家关注,在芯片行业也算是非常厉害的了,现在中芯国际留人送CEO一套房,为什么会出现这样的情况,为什么留不住人?
中芯国际留人送CEO一套房,为什么要留人,是什么情况?
目前,中国最严重的“瓶颈”是在芯片的制造过程中
但“卡脖子”技术需要大规模的人力物力。作为全村人的希望,中芯国际如何留住芯片的顶尖人才?答案就在于财报,中芯国际的做法是薪水涨4倍,再送房!
中芯国际首席执行官获得了价值2250万元的财产.
中芯国际CEO年薪:增长四倍
3月31日晚,中芯国际披露了其2020年度报告。上市公司年营业收入274.71亿元,同比增长24.8%;净利润43.32亿元,同比增长141.5%;扣除后净利润16.97亿元,去年同期扣除后净利润-5.22亿元,成功扭亏为盈。
值得注意的是,据中芯国际公司的联合首席执行官梁孟松称,2020年的总薪酬为493万美元(相当于3200多万人民币),是所有董事和高管中最高的。
与2019年相比,梁孟松仅获得34.1万美元的薪酬。
但中芯国际解释了其中的原因,原薪酬总额493万美元中包括一套2250万元的房子,是公司给梁孟松的。
除去捐赠的房子,梁孟松2020年的薪酬约为153万美元,比梁孟松2019年的薪酬(34.1万美元)高出4.5倍。
值得注意的是,2020年12月15日晚,有消息透露,梁孟松当天辞去了中芯国际的董事会职务,认为自己不受到尊重和信任,公司也不再需要他。12月15日深夜至12月16日上午,中芯国际连续发布6条公告,对相关事宜进行说明。联合首席执行官的辞职引发了中芯国际公司股价的大幅下跌。12月16日港股短暂停牌,a股股价下跌逾7%,总市值蒸发逾100亿元。12月31日,该公司在港交所公布的最新董事会名单显示,梁孟松仍担任联合首席执行官。
中芯国际为什么留不住人?
事实上,这不是中芯国际的问题,而是整个行业的问题。
人才流失率高一直是中芯国际的短板。
根据中芯国际《2018 年企业社会责任报告》的数据,2018年中芯国际员工离职率为22%,约为行业平均水平的1.3倍。上海, 北京和其中深圳工厂的员工流失率分别为52.2%和25.7%。11.7%,是离职率最高的前三名城市。
芯片半导体从业者和投资者谷若晖认为,应该正确对待中芯的国际员工流失率问题。任何一个公司本身都有‘新陈代谢’的功能,其人员自然‘进出’。在中芯国际、台积电等芯片企业,每年都有很多人因为优胜劣汰而离职,这是正常现象。
人才“一挖就走”被嘲讽为“训练基地”
中芯国际跳了出来,但很少有人跳了进去。由于跳槽率高,中芯国际被嘲讽为“黄埔军事学院”和“培训基地”,为行业培养了不少芯片人才,也为别人做了嫁衣。陈穰说,中芯国际公司的员工一挖就能挖走。大量的毕业生进来,不到一年剩下的不多,三年以上的很少。大部分有能力的人都跳槽了,甚至在组织体系中也出现过跳槽的情况。
中芯国际的大多数人去了三星, 台积电, 英特尔和其他大工厂。一些人还去了其他工厂,如合肥长鑫、西安三星、武汉长江存储等。这些员工出去后,工资往往会成倍增长,一些中小型制造商或新公司来招人的工资比中芯国际高得多。
芯片封装设备代理商柳泽雨,举了一个例子。一般封装经理或封装工程师岗位,在中芯国际、长电科技等公司年薪在 10~30 万元左右,但在华为或新公司,这一待遇将乘以2。所以华为很多封装工程师夸张的年薪在80万左右。即便在这种情况下,也常常被盯上。
芯片制造商“挖墙脚”的现象十分普遍和频繁。这背后的深层原因是芯片半导体领域严重的人才缺口。
据统计,芯片的行业缺口为30万。预计到2021年,整个行业对人才的需求将达到72.2万人左右。换句话说,到2021年,中国芯片工业仍将有26.1万人的缺口。
此外,芯片的工业目前正处于快速发展时期,许多新项目和新工厂的建设正在如火如荼地进行。对更高人才的渴望促使新成立的公司以更高的工资雇佣员工。
半导体是一个人才、技术、资本壁垒很高的领域。由于我国半导体发展基础薄弱,人才培养速度跟不上。在中国,只有少数高校人开设了集成电路设计与集成系统专业,现在半导体行业的从业人员大多来自计算机、信息技术、化工、物理等行业。
与国外先进的大型企业相比,国内半导体企业也缺乏相应的内部培训机制。一名前中芯国际员工回忆起他在世智网的工作经历,“我觉得我学不到任何技术,也没有人培训过半导体相关知识”。
目前,国内芯片半导体公司高度依赖外部人才。业内大多数高端芯片人才都有海外背景。他们经常被挖出来,很少有本土化的芯片人才。
谁能引领全球芯片发展的新方向?
众所周知,目前,在全球半导体芯片市场,整个芯片行业几乎依赖于台积电和三星这两大芯片代工巨头生产芯片。
虽然研发,能生产高端芯片的企业很多,但能生产高端半导体芯片的企业很少,只有台积电和三星能在芯片实现7nm工艺下的量产。
台积电4纳米技术于今年年底开始大规模生产。4纳米技术是台积电5纳米的增强版本,设计套件与5纳米兼容。
许多制造商对4纳米工艺感兴趣。比如AMD年底会发布Zen 4处理器。如果没有4nm工艺,AMD只能用台积电N5P工艺制造处理器。现在第四季度4nm可以量产了,AMD的Zen 4可以直接强化到4nm工艺。此外,与高通,的骁龙895芯片一样,它也是在年底发布的,因此它也可以通过使用台积电,的4纳米工艺(包括高通自己的X65基带)直接从5纳米升级到4纳米。
事实上,三星没有4纳米的计划,而是直接进行3纳米的过程。
在IEEE固态电路国际会议(ISSCC)上,三星宣布了即将推出的3纳米芯片,这是一个面积为56平方毫米的芯片静态随机存取存储器,将首次使用砷化镓场效应晶体管技术。
三星说,与7LPP技术相比,3GAE可以提高30%的性能,降低50%的功耗,增加80%的晶体管密度。
根据去年的报道,复旦大学公开宣布,国产3nm芯片取得关键突破!这一突破来自复旦大学微电子学院周鹏教授的研究团队。他们征服了与3纳米芯片,相关的晶体管技术,这种技术可以通过改进晶体管来提高芯片的性能。
从芯片的晶体管出发,找到了改善芯片性能的新思路,并验证了双层沟道的围栅多桥沟道晶体管。
首先,看看台积电去年的媒体报道显示,该公司在2纳米工艺技术上取得了重大突破,并将在2023年下半年进行小规模试生产,2024年进行大规模生产。
今年3月,欧盟委员会正式发布了《2030 Digital Compass》规划书,为未来10年半导体产业的发展设定了最新目标。
因此,欧盟希望制定雄心勃勃的计划,从芯片设计到先进制造到2纳米节点,以区分和领导我们最重要的价值链。
早在去年,日本科技巨头就已经向位于芯片世界最大晶圆代工厂台积电,抛出橄榄枝,希望台积电能去日本建设晶圆代工厂。
据悉,佳能等三家日本企业将与产业理工学院(以下简称产研院)合作,携手研发下一代半导体。日本经济的产业省将从资金,提供约420亿日元的援助,并将与台积电等海外制造商建立合作体系,希望重振研发,它是仅次于日本的最先进的半导体。
最初,它是三星和台积电的世界。在未来,或将迎来万紫千红的发展。
中芯国际留人送CEO一套房,芯片行业的紧缺人才现状,已经从去年发展到现在,面对严重的问题,还是需要多注意 ,人才的空缺,将会让整个行业出现波动,所以,培育更多的人才,薪资对得起能力,才是关键。
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