天岳先进进军科创板 硬科技成业内看好焦点

　　中宏网股票频道9月6日电 8月31日晚，上交所科创板上市委公告，山东天岳先进科技股份有限公司（下称：天岳先进或发行人）首发申请将于9月7日上会。拟募集资金20亿元，投资于碳化硅半导体材料项目，且披露此项目已列入《2021年上海市重大建设项目清单》。作为高新科技企业、独角兽企业，国家级专精特新小巨人企业，天岳先进此次冲A，除资方大鳄云集被不断关注外，其背后的意义也显得非凡。

　　十年磨一剑今朝冲A

　　资料显示，天岳先进成立于2010年11月，是一家国内领先的宽禁带（第三代）半导体衬底材料生产商，主要从事碳化硅衬底的研发、生产和销售。其主要产品目前已覆盖半绝缘型和导电型碳化硅衬底，供应至国内碳化硅半导体行业的下游核心客户，同时已被部分国外顶尖的半导体公司使用，广泛应用于电力电子、微波电子、光电子等领域。

　　天岳先进成立初期，依托新研发产品主要有2英寸、3英寸、4英寸碳化硅单晶衬底。这些新材料广泛应用于大功率高频电子器件、半导体发光二极管(LED)等领域，是第三代半导体的核心材料，属于《国家中长期科学和技术发展规划纲要》和国家“十二五”发展规划中重点培育和发展的战略性新兴产业。在碳化硅产品方面，天岳先进2011年与山东大学签订碳化硅技术转让和战略性合作协议后，迅速筹集资金，采用非常规的建设方式，在半年多的时间内，即完成了厂房的建设和相关设备的采购工作，并在仅3年的时间里实现了该材料的量产。

　　由于国内企业在碳化硅领域起步较晚，目前，天岳先进与全球行业龙头企业之间除在各尺寸量产能力推出时间、大尺寸产品供应情况及供应链配套等方面尚存在一定差距外，同尺寸产品在技术参数上已无明显差距。

　　重研发高投入屡获殊荣

　　2018年至2020年，天岳先进的营收分别为13613.4万元、26855.84万元及42481.19万元，归母净利润分别为-4213.96万元、-20068.36万元和-64161.32万元，扣非净利润分别为-5296.18万元、522.91万元和2268.78万元。尽管尚未实现盈利，但其研发投入并不少。2018年至2020年，其研发投入占营业收入的比例分别为9.05%、6.97%和10.71%。

　　高投入虽然暂时没有带来相应的利润，但经过十年的发展，天岳先进已经逐渐拉近了在碳化硅领域中与国际行业巨头之间的技术差距。作为全国劳动模范、国务院特殊津贴专家，天岳先进掌门人宗艳民先生带领团队先后攻克了原料提纯、碳化硅材料生长及缺陷控制、衬底加工等一系列难题，掌握了碳化硅半导体材料产业化核心关键技术，实现2-6英寸宽禁带半导体材料研发或产业化，实现了国家核心战略材料的自主可控。

　　与此同时，培养出了一批高素质的研发人员，承担了多项国家和省部级重大科研项目。目前，天岳先进已拥有数百项专利等自主知识产权，获得了国家、省、市级的科技进步一等奖和技术发明一等奖等系列荣誉。科研技术的突飞猛进，也相应的促使从天岳先进的产品实现了从量到质的转变。根据国际知名行业咨询机构Yole的统计，2019年及2020年，天岳先进已跻身半绝缘型碳化硅衬底市场的世界前三。

　　肩重任战略保障显担当

　　由于碳化硅衬底材料是新的一代半导体材料，处于宽禁带半导体产业链的前端，是前沿、基础的核心关键材料，属于半导体产业的新兴和前沿发展方向之一，被广泛用于微波电子、电力电子等领域，具有重大的战略意义。长期以来，相关核心技术和生产供给被部分发达国家所垄断，对我国相关产业链发展及安全造成严重冲击。在此背景下，天岳先进作为我国碳化硅衬底领域的领军企业，在国家亟需的时候，担当起了国家核心战略物资的保障供应重任，批量供应了半绝缘型碳化硅衬底材料，成功实现该产品的自主可控。

　　目前，天岳先进分别作为863计划新材料技术领域中导电型碳化硅衬底相关研究课题和《2013年新材料研发及产业化专项项目》中导电型碳化硅衬底相关项目的牵头单位之一，已成功掌握了导电型碳化硅衬底材料制备的技术和产业化能力。在优先保障半绝缘型碳化硅衬底材料战略供应之余，同时实现了导电型碳化硅衬底材料的研发和小批量销售，且性能在电力电子领域客户中得到了有效的验证。

　　抢布局未来车道谁与争锋

　　自去年小米发布65W的氮化镓充电器后，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料就受到了越来越多的资方关注。公开报道显示，国际巨头纷纷加大了碳化硅半导体产业扩产计划。而国内资方也不甘落后，从天岳先进股东榜单可以看出，新进股东中大咖云集，包括深创投、科创板上市公司中微公司、华为投资控股有限公司全资持有的哈勃投资等。

　　创道投资咨询执行董事步日欣曾在接受媒体采访时表示，第三代半导体产业发展水平，国内和国外相比是有差距的，但这个差距已经比第一代第二代半导体要小很多，而且国内已经有意识在主动发展产业，补齐短板。目前整个产业还处在初期，未来产业发展的格局尚未完全确定，所以在第三代半导体领域，我们还是有追赶机会的。

　　为加快推进第三代半导体材料行业的发展，国家层面先后出台《重点新材料首批次应用示范指导目录(2019版)》《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》等鼓励性、支持性政策；地方层面也积极响应，通过政策将实质性的人、财、物资源注入，推动着各地半导体材料产业的集聚和发展。政策落地和行业需求也促进了国内碳化硅产业的快速发展，中国正逐步成为全球宽禁带半导体材料生产的主要市场之一。因此，我国若能在第三代半导体上游行业衬底材料方面实现突破，将有望在半导体领域实现换道超车。

　　责任编辑：吕怡蕾

审核：凌薇