芯导科技(688230.SH)：第三代半导体650V GaN HEMT产品已初步形成系列化

　　5月17日丨芯导科技(688230.SH)近日在接待机构投资者调研时表示，公司在对现有产品进行升级迭代的同时，也在不断丰富产品阵容。公司第三代半导体650V GaN HEMT产品已初步形成系列化，包含110mR~900mR范围，采用多种封装形式，在电源、PD快充适配器等领域重点推广。

　　IGBT产品方面，公司650V/1200V 100A以下小电流产品已初步形成产品系列化，通流能力在25A~75A范围，采用TO-247/TO-247PLUS单管封装形式，目前在工业控制等领域重点推广。同时，公司1200V 100A 以上大电流产品设计和工艺平台建成，首颗1200V 200A芯片完成测试评价，参数一致性好，具有高可靠性和强鲁棒性。1200V 150A等系列化产品陆续进行流片产出。大电流产品主要采用Econodual3/62mm等模块封装形式，重点在储能等新能源领域推广。