赛晶科技（0580.HK）：2024年目标营收增长50%，向上拐点正式确立！

　　近日，赛晶科技发布2023年业绩报告。2023年，公司销售收入约10.5亿元，同比增长15%；毛利率32%，同比增长4个百分点。受此影响，公司盈利水平实现逆势高增，归属母公司净利润约3155万元，同比增长高达31%。在业绩说明会上，公司还称力争实现2024年营收增长50%经营目标。

　　公司的业绩拐点正式确立。在强劲的盈利增长势头背后，是公司在特高压和功率半导体领域的发展发生了飞跃。

　　直流输电领域再迎突破

　　公司为输配电工程提供阳极饱和电抗器、电力电容器等器件产品，业务主要涉及特高压直流输电、柔性直流输电项目。

　　电网输配电业务是公司的基本盘和压舱石。2023年，电网输配电业务表现非常亮眼。得益于特高压项目密集落地，公司的直流输电领域的销售收入同比增长43%，达2.5亿元。

　　海通证券的研报认为，特高压建设在提速，金上-湖北，陇东-山东，哈密-重庆，宁夏-湖南直流特高压工程已经开工，2024年预计开工5条直流特高压，2条交流特高压。国联证券研究所指出，根据十四五规划，我国至少要建设直流特高压12条，预计总投资在2400亿元以上。而面向“十五五”的电网投资计划也有望陆续出炉。按照十五五规划，预计年均开工3-4条直流特高压，行业景气度将持续。而根据2025年并网的规划，今明两年将是行业投资高速增长的阶段。作为行业龙头，公司在过去一年深度受益于特高压密集开工的红利，取得相关订单和交付增长；展望未来，这样高景气度很高机会将延续，使得实现成长加速跑。

　　值得一提的是，2024年初，公司的两款柔直用直流支撑电容器顺利通过国家级新产品技术鉴定，为该类产品的批量工程应用做好了准备。

　　“柔直”指的是柔性直流输电技术（VSC-HVDC）。该技术是在传统直流输电技术基础上，使用了大功率IGBT替代了晶闸管，并利用脉宽调制技术进行电能的转换输送，无功补偿能力、无需支撑电源、无换相失败、灵活的功率控制等方面具有很强的优势。可以说，柔性直流输电技术是新一代电力电子技术在输电领域的应用，是电力电子技术的未来，具备广阔的发展空间。不过，国海证券研究所指出，在柔性直流输电技术中，其关键的柔直换流阀等关键设备中，电力电子器件对进口产品的依赖性较高，仍存在核心技术受制于人、国产化率偏低等问题，全国产化发展步履缓慢。赛晶科技取得的进步，加快了柔直工程中直流支撑电容器大规模国产替代的步伐，同时也为公司进一步打开柔性直流输电业务的发展空间奠定基础。

　　高端功率半导体国产替代的中坚力量

　　除了在电力电子技术领域快速成长，公司的自研功率半导体也取得快速突破。2023年，公司在功率半导体的潜力初步兑现，自研功率半导体业务收入8145万元，同比增长高达105%，实现翻倍！可见，半导体业务已构成公司第二成长曲线，成为新的增长极。

　　国海证券指出，赛晶科技是业内技术领先并深具影响力的电力电子器件供应商和系统集成商，也是国际领先的创新研发型企业。根据公开消息，赛晶科技旗下拥有三家子公司入选2023年度第一批浙江省专精特新中小企业，能侧面说明公司的研发实力获得官方的认可。

　　值得关注的是，赛晶科技深耕功率半导体领域多年，近年来在该领域势如破竹。

　　从功率半导体的发展轨迹来看，高功率、高频率（小型化）与低功耗是技术演进的方向。目前，功率器件主要包括功率二极管、双极性晶体管、功率MOSFET和IGBT。其中MOSFET、IGBT？是功率分立器件中比重最大的产品。

　　2020年，赛晶科技正式发布IGBT首款产品；次年，公司首条IGBT生产线竣工投产，i20 IGBT芯片和ED封装IGBT模块实现量产。2023年，赛晶科技推出1700V IGBT及FRD芯片，ST封装IGBT模块、HEEV封装SiC模块、EVD封装IGBT模块等多款新产品。据悉，SiC模块是车规级产品。此外，赛晶科技启动了电压为1200V和1700V，包含Si IGBT和SiC MOSFET的多个系列芯片和模块研发，有望于2024年内陆续推出。这意味着公司不仅向更高端的IGBT进发，还正在切入第三代半导体赛道。

　　按照全球主流技术水平来说，SIC MOSFET、IGBT等高端分立器件是功率器件中较为尖端、技术含量较高的分类。由于此类产品技术门槛更高、工艺复杂性更强，因此我国整体产业技术水平仍与全球领先水平的仍存在较大差距，是功率半导体国产替代的核心领域。不难看出，公司正向着“国际一流水平的国产功率半导体厂商”的目标快速前行。

　　赛晶科技半导体产品已顺利进入产业化阶段，并获得下游的认可。2023年，公司实现批量供货的客户群体达38家，较去年同期增长36%。“销售收入的94%都来自进入门槛高、品质要求苛刻的新能源发电、储能和电动汽车领域。”赛晶科技管理层在业绩说明会上表示。

　　值得一提的是，2023年，赛晶科技除了不断完善产品布局、提升产品渗透率，还持续扩充产能。在业绩说明会上，赛晶科技管理层披露，2024年公司将加快产能扩充，力争完成第三条IGBT模块和第一条碳化硅模块封测生产线的建成。生产线建成后，有利于公司进行更高效的内部协同与生产研发，加快新产品及新工艺的快速推出。未来，公司有望加快迈向高端功率半导体大规模产业化的新阶段。

　　2023年业绩报告标志着赛晶科技业绩拐点的确立。在业绩背后，是公司在直接输电领域和功率半导体领域的持续发展和创新。随着公司逐步确立起在行业中的领导地位，未来可能实现更加可观的业绩增长。