国内第三代半导体迎窗口期 今年氮化镓、碳化硅产值或达70亿元

　　中国第三代半导体正迎来发展的窗口期。第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲11月24日在2020国际第三代半导体论坛上透露，双循环模式推动国产化替代，2020年中国SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)电力电子和微波射频产值预计将约为70亿元。

　　其中，中国的GaN微波射频产业产值2020年将达到33.75亿元，比去年的26.15亿元将增长29%；SiC、GaN电力电子产业产值2020年将达到35.35亿元，比去年的29.03亿元将增长21.77%。

　　另一方面，市场规模扩大，5G加速推进GaN射频应用迅猛增长，2020年中国GaN射频器件市场规模约170亿元；新能源汽车及消费电子成为突破口，2020年中国电力电子器件应用市场规模58.2亿元。

　　吴玲建议，探索构建第三代半导体产业创新生态，摸索“平台+孵化器+基金+基地”以及大中小企业融通发展的新模式，加强精准的国际与区域深度合作，共同努力使全链条进入世界先进行列。

　　明年将是氮化镓快充元年

　　氮化镓(GaN)因今年小米推出应用了相关材料的快充产品而备受瞩目。作为国内已量产硅基氮化镓的企业，英诺赛科科技有限公司的董事长骆薇薇在上述论坛上表示，第三代半导体氮化镓有小体积、低能耗、高频工作等优势，适应带宽更大、工作频率更高、大电流、低损耗的市场需求。

　　随着AI、数据中心、5G、新能源汽车、直流供电等的快速发展，功率半导体将迎来快速增长，预计2020~2025年复合增长率会超过10%。骆薇薇说，功率半导体未来主要增长将集中在第三代半导体，电压等级主要会集中在30伏、150伏、650伏、900伏以上。

　　英诺赛科于2015年成立，2020年9月苏州工厂建设完成，其高、低压芯片出货量均达数百万颗。骆薇薇认为，氮化镓功率半导体的产业化技术已经成熟，市场开始爆发。目前英诺赛科量产的产品是8英寸硅基氮化镓，覆盖从30伏到650伏。

　　中国新基建中5G基站、数据中心等将带来新需求。骆薇薇说，目前硅基氮化镓的芯片价格是硅器件的1.5倍，预计未来几年有望与硅器件价格持平，甚至更低。所以其在消费电子领域有很大发展潜力，可覆盖电子烟、智能手机、无线充、扫地机器人、无人机、笔记本电脑、电动单车。

　　据充电头网统计，在智能手机行业中，目前已有华为、小米、OPPO、魅族、三星、努比亚、realme等多个品牌推出了氮化镓快充产品。电商方面，目前也有17家品牌先后推出了数十款氮化镓快充新品。已经出货的电源厂商超过100家。

　　“2021年将是GaN快充元年。”骆薇薇预计，2020年GaN快充的出货量达1000万个，2021年GaN快充的出货量将增长超过十倍、达到1.5亿~2亿个。另外，氮化镓功率芯片应用在手机上，将可使智能手机有更高的效率、更高的动态响应和更小的电源占比面积。

　　而氮化镓的应用范围不只在快充、智能手机等消费类电子领域，还有数据中心、柔性供电等工业领域，以及自动驾驶、车载充电机等汽车领域。如，低压氮化镓可应用于新一代大数据中心，以减少占地、提高功率、降低能耗。

　　面对台积电、英飞凌、EPC、Navitas等竞争对手，中国大陆氮化镓企业希望把握发展窗口期，快速提升产能。骆薇薇透露，英诺赛科的业务包括芯片设计、材料外延生产、芯片制造、可靠性分析，其珠海工厂月产能为4000片，苏州工厂月产能为6.5万片，苏州工厂今年底试产、明年6年量产。

　　目前，国内多家企业及机构正在完善氮化镓的国产化生态系统，实现产业链自主可控：氮化镓封装测试体系有华天科技、长电科技、嘉盛半导体(Carsem)；磁材料有TDG(天通控股)、DMEGC(东磁)；驱动、控制器有东科半导体、JOULWATT(杰华特微电子)等；测试体系有电子科技大学、中国赛宝实验室等。

　　电动汽车推动碳化硅市场爆发

　　第三代半导体另一个重要产品碳化硅，则将受益于电动汽车行业的快速成长而迎来爆发机会。

　　安芯投资管理有限公司首席执行官、创始合伙人王永刚在上述论坛上表示，2018年至2024年碳化硅的发展方向是新能源汽车市场，年复合增长率将达到29%。全部碳化硅器件市场，预计在2023年达到15亿美元。

　　日本丰田汽车公司功率半导体顾问、PDPlus LLC总裁滨田公守说，在2017年，电动汽车的比例仅为3%，而到2040年，预计将达到50%。在接下来的二十年里，电动汽车的份额将迅速增加。即使只看未来五年，电动汽车市场也会大幅增加。

　　碳化硅器件主要适合纯电动车，因此碳化硅器件会与硅器件长期并存。滨田公守说，在纯电动车中，使用碳化硅器件的方案会贵300美元。到2025年，行驶300公里的电池费用预计约为10000美元，如果电池效率提升3%，电池费用将下降300美元，节省的费用将可以抵消增加的费用。

　　在碳化硅(SiC)全球产业地图中，衬底领域有日本制铁集团、天科合达、同光晶体下的河北同光、泰科天润；外延领域有瀚天天成、东莞天域、昭和电工；设计领域有创能动力(APS香港团队)、上海詹芯电子等。而今年三安光电收购了北电新材，也是为了掌握上游碳化硅材料。

　　展望中国第三代半导体产业的未来，吴玲预计，到2025年，5G通信基站所需GaN射频器件的国产化率将达到80%；第三代半导体功率器件将在高速列车、新能源汽车、工业电机、智能电网等领域规模应用；Mini/Micro LED、深紫外等材料及芯片产业化可实现在健康医疗、公共安全、信息交互等领域的创新应用。到2030年，国内将形成1~3家世界级龙头企业，带动产值超过3万亿元，年节电万亿度。